分野別プログラム

領域9

8日 J1会場　8aJ1　9:00〜11:15

領域9
結晶成長

1: 環境成分比偏りにより平衡状態でファセット化したマクロステップができるのか?：2成分定比化合物; 大阪電通大工; 阿久津典子, 杉岡良樹, 村田直也
2: 過飽和炭酸カルシウム水溶液中に現れる前駆体微粒子構造のメタダイナミクス法による解析; 産総研; 灘浩樹
3: 温度昇降による安定相から準安定相への転換; 電通大情理, 愛工大自然^A; 勝野弘康, 上羽牧夫^A
4: 高分子結晶化過程で起こる微結晶凝集体の成長キネティクスII; 京大院人間・環境, 広大院総科^A, 立命館大理工^B; 小西隆士, 田所大輔, 田口健^A, 深尾浩次^B, 宮本嘉久
5: （招待講演）窒化物半導体成長プロセスの理論解析：不純物混入機構; 九州大学応用力学研究所; 寒川義裕

休憩　（10:30〜10:45)

^●6: Surface melting of polycrystalline ice thin films just below the melting point; 北大低温研; Jialu Chen, Ken Nagashima, Ken-ichiro Murata, Gen Sazaki
7: 反射位相差顕微鏡による氷結晶表面の定量位相イメージング; 北大低温研; 村田憲一郎, 長嶋剣, 佐崎元

8日 J2会場　8aJ2　9:30〜12:00

領域9
表面物理化学１

1: STM発光分光法による単一分子励起・脱励起過程の実空間計測; 理研SISL^A, 東大新領域^B; 今井みやび^{A, B}, 今田裕^A, 木村謙介^{A, B}, 三輪邦之^A, 竹谷純一^B, 金有洙^A
2: SPM探針による芳香族分子の脱水素化のピンポイント誘起; 東大新領域, 阪大工^A, 京大エネ研^B, 愛媛大^C; 塩足亮隼, 濱田幾太郎^A, 中江隆博^B, 森重樹^C, 奥島鉄雄^C, 宇野英満^C, 坂口浩司^B, 濱本雄治^B, 森川良忠^B, 杉本宜昭
3: 銅表面上の単一CO分子の金属探針によるエネルギー散逸過程; 金沢大理工, DIPC^A, IKERBASQUE^B, Univ. of Regensburg^C; 岡林則夫, Thomas Frederiksen^{A, B}, Alexander Liebig^C, Franz J. Giessibl^C
^●4: STM/STSを用いたAu(111)表面に吸着した4-(2'-benzimidazolyl)-1,2,3,5-dithiadiazolyl (HbimDTDA)ラジカル分子の磁気的双安定状態の観測; 東北大院理^A, 東北大多元研^B, ゲルフ大^C; ソヘルアホメッド^A, ファクルディンシャヘッ^B, イクラムホサイン^A, キャスリンプレウス^C, ^○米田忠弘^B

休憩　（10:30〜10:45)

5: Pd(210)表面に化学吸着した水素分子のオルト-パラ転換時間測定; 原研先端基礎研^A, 東大生研^B; 植田寛和^A, 笹川裕矢^B, Ivanov Dmitry^B, 大野哲^B, 小倉正平^B, 福谷克之^{A, B}
^●6: First-principles study of oxygen reduction reaction on Pt, Pt_ML/Pt₃Co, and Pt_ML/Pt₃CoMn; Nat'l Inst. Tech., Akashi Col., Univ. of San Carlos^A, Univ. of Tokyo^B; Chantaramolee Bhume, Arevalo Ryan Lacdao^A, Aspera Susan Meñez, Nakanishi Hiroshi^{, B}, Kasai Hideaki
7: Pd単原子を担持させたCo₃O₄ナノ粒子膜の水素センサ特性; 産総研; 古賀健司
^●8: First principles based investigations of CO, O, and CO2 adsorption and CO2 dissociation on two-dimensional Cu clusters supported on Cu(111) surface; Univ. of the Philippines Los Baños, The Philippines, Univ. of the Philippines Diliman, The Philippines^A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.^B; Allan Abraham Padama, Ellaine Rose Beronio, Anne Nicole Hipolito, Joey Ocon^A, Hiroshi Nakanishi^B, Hideaki Kasai^B
9: パルスジェット化した空気希釈エタノールガスの照射によるZnO単結晶の電気伝導率変化; 物材機構, 東京理科大^A; 鈴木拓, 安達裕, 大垣武, 坂口勲, 中村穂^A, 大橋英幸^A, 相見晃久^A, 藤本憲次郎^A

8日 J1会場　8pJ1　13:30〜16:50

領域9，領域5，領域10，領域11
界面におけるエネルギー変換と輸送

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 産総研・物質計測標準研究部門ナノ構造化材料評価グループ; 白澤徹郎
2: （一般シンポジウム講演）実験室型Ｘ線光電子分光装置を利用した溶液、固液および固固界面計測; 物材機構・先端解析研究拠点; 増田卓也
3: （一般シンポジウム講演）固液界面分析に基づくトライボロジー現象の理解; 京大院工; 平山朋子
4: （一般シンポジウム講演）全固体電池界面におけるバンド構造とイオン輸送現象; 東工大; 一杉太郎

休憩　（15:05〜15:20)

5: （一般シンポジウム講演）X線顕微鏡による材料機能の階層構造のマルチスケール観察とパーシステントホモロジーによる解析; 高エ研; 木村正雄
6: （一般シンポジウム講演）磁性・スピントロニクス材料における熱エネルギー変換・輸送; 物材機構・磁性スピントロニクス材料研究拠点; 内田健一
7: （一般シンポジウム講演）固体界面、固液界面における熱伝導の計測; 産総研・物質計測標準研究部門熱物性標準研究グループ; 八木貴志

9日 J2会場　9aJ2　9:30〜12:00

領域9
表面物理化学2

1: 白金(111)面におけるナノグラフェン形成; 東京農工大工, UVSOR^A, 国際基督教大^B, 千葉大工^C, KEK-PF^D; 遠藤理^B, 松井文彦^A, 田旺帝^B, 中村将志^C, 雨宮健太^D, 尾﨑弘行
2: In超薄膜上の金属フタロシアニン単分子層における固気転移; 京大院理; 檜垣慎平, 松原燦, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
3: In超薄膜と金属フタロシアニン超薄膜の界面電子状態と分子-分子間相互作用; 京大院理; 八田振一郎, 松原燦, 奥山弘, 有賀哲也
4: 熱アシスト非平衡大気圧O₂プラズマ処理したアナターゼ型TiO₂ナノ粒子の物性; 徳島大, 兵庫県大高度研^A, 中部大^B, 日亜化学^C; 川上烈生, 味元勇樹, 小出洋史, 柳谷伸一郎, 新部正人^A, 中野由崇^B, 向井孝志^C

休憩　（10:30〜10:45)

^●5: Density Functional Theory Study on a Nitrogen-Rich Carbon Nitride Material C₃N₅ as Photocatalyst for CO₂ Reduction Reaction; Inst. of Functional Material Chem., Key Lab. of Polyoxometalate Sci. of Ministry of Education, Fac. of Chem., Northeast Normal Univ., P.R. China^A, Dept. of Precision Eng., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^B, Elements Strategy Initiative for Catalysts and Batteries (ESICB), Kyoto Univ.^C, Res. Center for Ultra-Precision Sci. and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^D; Yuelin Wang^{A, B}, Thanh Ngoc Pham^B, Yoshitada Morikawa*^{B, C, D}, Likai Yan*^A
^●6: Van Der Waals Density Functional Study of the Oxidation of Diamond (100) Surface; Osaka Univ., Inst. Teknologi Bandung^A, Sumitomo Electric Industries^B; John Isaac Enriquez, Fahdzi Muttaqien^A, Masato Michiuchi^B, Kouji Inagaki, Masaaki Geshi, Ikutaro Hamada, and Yoshitada Morikawa
^●7: First-principles Theoretical Study on Dimeric and Trimeric Formations of NO/Cu(111); Dept. of Precision Eng., Osaka Univ., Elements Strategy Initiative for Catalysts and Batteries (ESICB), Kyoto Univ.^A, Res. Center for Ultra-Precision Sci. and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^B; Thanh Ngoc Pham, Yuji Hamamoto^A, Kouji Inagaki^A, Ikutaro Hamada^A, Yoshitada Morikawa^{A, B}
^●8: Surface interaction between carbon dioxide and carbon on flat and stepped FCC cobalt during dry reforming of methane; Dept. of Precision Eng., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^A, Sch. of Chem. Eng., Universiti Sains Malaysia, Eng. Campus, Malaysia^B, Elements Strategy Initiative for Catalysts and Batteries (ESICB), Kyoto Univ.^C, Res. Center for Ultra-Precision Sci. and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^D; Yee Jie Wong^{A, B}, Nor Fazila Khairudin^B, Yuji Hamamoto^{A, C}, Kouji Inagaki^{A, C}, Ikutaro Hamada^{A, C}, Abdul Rahman Mohamed^B, Yoshitada Morikawa^{A, C, D}
^●9: Adsorption and Decomposition of Formic Acid on the Cu(111) Surface; Dept. of Precision Eng., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^A, Elements Strategy Initiative for Catalysts and Batteries (ESICB), Kyoto Univ.^B, Res. Center for Ultra-Precision Sci. and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^C, Instrumentation and Computation Res. Group, Fac. of Mathematics and Natural Sci., Institut Teknologi Bandung, Indonesia^D; Septia Eka Marsha Putra^A, Fahdzi Muttaqien^D, Yuji Hamamoto^{A, B}, Kouji Inagaki^{A, B}, Ikutaro Hamada^{A, B}, Yoshitada Morikawa^{A, B, C}

10日 C2会場　10aC2　9:30〜12:00

領域3（2，4，8番目のみ領域9と合同）
表面界面・薄膜・人工格子・ナノ粒子磁性

1: Pt-Pdナノ粒子の¹⁹⁵Pt-NMRによる研究; 京大院物理, 京大院化学^A; 木下雄大, 奥野友則, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平^A, 北川宏^A
2: Cr(001)超薄膜の表面磁性-スピン偏極STSによる観察; 大阪教育大; 川越毅
^●3: Quantum oscillaitons with magnetic hysteresis observed in CeTe₃ thin films; Grad. Sch. of Sci., Osaka Univ.^A, OIST^B, Inst. for Phys. of Intelligence, Univ. of Tokyo^C, CSRN, Osaka Univ.^D; Mori Watanabe^A, Sanghyun Lee^A, Takuya Asano^A, Takashi Ibe^A, Masashi Tokuda^A, Hiroki Taniguchi^A, Ueta Daichi^B, Yoshinori Okada^B, Kensuke Kobayashi^{A, C}, and Yasuhiro Niimi^{A, D}
4: 希釈冷凍mK-STMによるRu(0001)上のCo単層膜内のスキルミオン磁場依存性; 千葉大院工, カールスルーエ工科大^A; 根本諒平, ルイクモーゲル^A, ウルフウルフヘケル^A, 山田豊和
^●5: Synthesis and characterization of the canted antiferromagnetic insulator YFeO3 thin film; Grad. Sch. of Frontier Sci. Advanced, The Univ. of Tokyo; Cong Wang

休憩　（10:45〜11:00)

6: ファンデルワールス強磁性金属Fe5GeTe2における垂直磁気異方性の評価; 阪大理, OIST^A, 東大理知の物理学研究センター^B, 阪大CSRN^C; 太田智陽, 坂井康介, 谷口祐紀, Benjamin Driesen^A, 岡田佳憲^A, 小林研介^B, 新見康洋^D
7: カイラル磁性体CrNb₃S₆薄膜における逆スピンホール効果の観測; 阪大理^A, 阪大CSRN^B, 阪府大工^C, 東大理知の物理学研究センター^D; 佐々木壱晟^A, 太田智陽^A, 川原遼馬^A, 谷口祐紀^A, 荒川智紀^{A, B}, 乾皓人^C, 島本雄介^C, 高阪勇輔^C, 戸川欣彦^C, 小林研介^{A, D}, 新見康洋^{A, B}
8: 磁場掃引中のGinzburg-Landauモデル上に現れる二次元磁気パターンの時間発展; 東大院総文^A, 東大先進^B; 中西亮^A, 福島孝治^{A, B}
9: Dzyaloshinskii-Moriya相互作用のある磁性薄膜における双極子相互作用による磁気構造の変化; 物材機構; 小松尚登, 西野正理, 野々村禎彦

10日 J1会場　10aJ1　9:00〜12:45

領域9，領域1，領域7，領域10，領域11
ハイドロジェノミクス－変幻自在な水素を活かすサイエンス

1: （共催シンポジウム講演）錯体水素化物のリチウム超イオン伝導機能と蓄電デバイス応用 −ハイドロジェノミクスでの挑戦−; 東北大WPI-AIMR/金研; 折茂慎一
2: （共催シンポジウム講演）イットリウム酸水素化物薄膜成長と光誘起絶縁体—金属転移; 東工大物質理工; 清水亮太
3: （共催シンポジウム講演）高プロトン導電性高分子薄膜：分子設計とエネルギーデバイスへの応用; 山梨大クリーンエネルギーセ; 宮武健治
4: （共催シンポジウム講演）水素と電子のカップリングによる物性制御; 東大物性研; 森初果

休憩　（11:00〜11:15)

5: （共催シンポジウム講演）高効率物質変換のための無機ナノ粒子の創製; 九大カーボンニュートラルエネルギー研; 山内美穂
6: （共催シンポジウム講演）金属表面における水素のサブサーフェス拡散・反応制御; 東京電機大; 小倉正平
7: （共催シンポジウム講演）計測とシミュレーションの水素データ同化; 東大理; 常行真司

10日 G1会場　10pG1　13:30〜16:50

領域7，領域4，領域5，領域9，領域10
グラフェン物性科学の新展開

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 東北大院理・光電子固体物性研究室; 菅原克明
2: （一般シンポジウム講演）高集積グラフェンナノリボンの合成と成長ダイナミクス; 東北大院工; 加藤俊顕
3: （一般シンポジウム講演）大面積ツイスト２層グラフェンの作製と電子状態評価; 九大院工; 田中悟
4: （一般シンポジウム講演）グラフェンの熱電効果; 名大工; 竹延大志

休憩　（15:05〜15:20)

5: （一般シンポジウム講演）グラフェンプラズモンの電気的制御; NTT基礎研; 熊田倫雄
6: （一般シンポジウム講演）hBN/グラフェン超格子の量子輸送: バレーホール状態、超伝導、単一電子伝導; 東電院工; 森山悟士
7: （一般シンポジウム講演）原子層物質における円偏光物性; 東北大院理・物性理論研究室; 齋藤理一郎

10日 J1会場　10pJ1　13:30〜14:45

領域9
表面界面構造物性１

1: 変形黒燐構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析; 産総研, 学芸大^A, 東工大^B; 白澤徹郎, Wolfgang Voegeli^A, 荒川悦雄^A, 高橋敏男^A, 潮田亮太^B, 中辻寛^B, 平山博之^B
2: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法とデータ駆動科学による格子非整合系表面超構造Cu/Si(111)の原子配列解析; 早大先進理工, 鳥取大工^A, KEK物構研SPF^B; 中司湧星, 濱田雅史, 田中和幸^A, 篠原彩, 望月出海^B, 星健夫^A, 兵頭俊夫^B, ^○高山あかり
3: ナノスケール摩擦制御の数値的・数理的研究; 電通大院基盤理工; 平尾佳那絵, 岡本遼路, 大向秀弥, 佐々木成朗
4: ニューラルネットワークポテンシャルによる金-リチウム合金系の解析; 東大工, 産総研^A, 分子研^B; 清水康司, Elvis F. Arguelles, Wenwen Li^A, 安藤康伸^A, 南谷英美^B, 渡邉聡
5: 単層カーボンナノチューブ(SWNT)の酸化還元特性とキラリティ直径との相関; 東理大院理; 松川雄二, 梅村和夫

10日 J2会場　10pJ2　13:30〜15:00

領域9
ナノ量子物性，表面磁性，インフォマティクス

^●1: Effect of atomic vacancy on water dissociation over Titanium Dioxide nanosheet：A density functional theory based study; Osaka Univ.; JIE CHU, Hideaki Kasai, Agerico Wilson Dino
2: STMを用いた単一分子の精密レーザー分光; 理研CPR^A, JSTさきがけ^B; 今田裕^{A, B}, 今井みやび^A, 三輪邦之^A, 木村謙介^A, 金有洙^A
^●3: Exploring the Yu–Shiba–Rusinov (YSR) State Caused by Single-Molecule Magnet Bis(phthalocyaninato)terbium (III) (TbPc2) on Superconducting NbSe2; Dept. of Chem., Grad. Sch. of Sci., Tohoku Univ.^A, Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.^B, Nat’l. Inst. of Tech., Gunma Col.^C; Hossain Mohammad Ikram, Ara Ferdous, Shahed Syed Mohammad Fakruddin, Noriyuki Tsukahara, Takaoka Tsuyoshi, Komeda Tadahiro
4: Au(110)-(1x2)表面におけるNOの近藤共鳴状態; 京大院理, 分子研^A; 越田裕之, 奥山弘, 八田振一郎, 有賀哲也, 南谷英美^A
5: 機械学習を指針とした磁気冷凍材料HoB₂の発見; NIMS^A, 筑波大^B, 中国科学院^C, 北大電子研^D; 寺嶋健成^A, P. B. Castro^{A, B}, Z. Hou^C, 山本貴史^A, 岩崎秀^D, 竹屋浩幸^A, 高野義彦^{A, B}
6: 第一原理計算によるGeTe系をベースとした高効率熱電材料の物質探索; 近大高専; 舩島洋紀

11日 J1会場　11aJ1　9:00〜12:00

領域9
表面界面構造物性２

1: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)を用いたSi₄O₅N₃ / 6H-SiC (0001)-(√3×√3) R30°多層表面構造解析; 鳥取大院工, 九大院工^A, KEK物構研^B; 星健夫, 田中和幸, 阪田大志郎, 尾家翔太郎^A, 望月出海^B, 田中悟^A, 兵頭俊夫^B
2: Si(551)表面の表面構造解析I; 東北大多元研, 東北大理^A, 奈良先端大^B, 阪大産研^C, 東北大工^D; 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明^A, 服部賢^B, 服部梓^C, 黒田理人^D
3: 全反射高速陽電子回折法とデータ駆動科学を用いたPb/Si(111)表面超構造の構造解析; 早大先進理工, 鳥取大工^A, KEK物構研SPF^B; 濱田雅史, 田中和幸^A, 辻川夕貴, 望月出海^B, 星健夫^A, 兵頭俊夫^B, 高山あかり
^●4: X線支援非接触原子間力顕微鏡(XANAM)による半導体表面のナノスケール元素分析; 名大工, 北大触媒研^A, ICU^B, 高エ研^C; 鈴木秀士, 向井慎吾^A, 田旺帝^B, 野村昌治^C, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一, 朝倉清高^A
5: 偏析法によるAl(111)薄膜表面上のゲルマネンの創製; 名大院工^A, エクス-マルセイユ大^B; 武藤寛明, 柚原淳司, 小林征登, 大田晃生, 宮崎誠一^A, Guy Le Lay^B
6: 構造制御されたSmB₆(001)表面の金属的な電子状態; 東大物性研^A, 電通大^B, 阪大産研^C, ユーリッヒ研究センター^D, 茨城大^E; 宮町俊生^{A, B}, 菅滋正^{C, D}, 飯盛拓嗣^A, 伊賀文俊^E, 小森文夫^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）ケルビンプローブ力顕微鏡(KPFM)による金属酸化物表面に吸着した酸素原子・分子の電荷状態に関する研究; 阪大院工; 菅原康弘
8: Cu(111)表面上の一酸化炭素分子(1.4×1.4)単層膜内の面内同時ホッピング; 千葉大院工; 山田豊和, ナナナズリク, ピータークリューガー
9: Si(111)-Ag表面上に配列したヘキサベンゾコロネン誘導体(HB-HBC)の低温STM連続観察で得られた点滅像; 横浜市大生命ナノ; 元島順, 鈴木奈央子, 横山崇
10: 氷表面局所構造の原子間力顕微鏡測定; 東大新領域, 国立交通大^A; 岩田孝太, 川上直也^A, 塩足亮隼, 杉本宜昭

11日 J2会場　11aJ2　9:00〜10:30

領域9
表面界面電子物性

1: 磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ構造MnBi₂Te₄/Bi₂Te₃の構造、電子状態と磁性; 東工大理, JAEA-SPring-8^A, 分子研^B, 東工大物質^C; 深澤拓朗, 日下翔太郎, 角田一樹, 橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 竹田幸治^A, 出田真一郎^B, 田中清尚^B, 清水亮太^C, 一杉太郎^C, ^○平原徹
2: 時間分解軟X線光電子分光法によるSrTiO₃表面・界面におけるキャリアダイナミクスの解明; 阪大工^A, 東大物性研^B, 東北大多元研^C, 東工大理^D, KEK-IMSS^E; 湯川龍^{A, B}, 山本達^{B, C}, 秋久保一馬^B, 竹内圭織^B, 小澤健一^D, 組頭広志^{C, E}, 松田巌^B
3: 原子状水素照射により作製した水素化二酸化チタンの電子状態; 東学大, 京大院理^A, 東大生研^B, 原研先端基礎研^C; 藤本将秀, 松本益明, 長塚直樹^A, 福谷克之^{B, C}
4: Mg吸着Pb/Si(111)表面の電子状態; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
5: SrTiO₃(001)-√13×√13上に作成した単層FeSeの超伝導特性; 東工大理, 東工大物質理工^A; 田中友晃, 一ノ倉聖, 清水亮太^A, 一杉太郎^A, 平原徹
6: 取　　消

11日 J1会場　11pJ1　13:30〜16:45

領域9
原子層物質

1: SiC上のグラフェンにおける界面欠陥とSTM像に関する第一原理研究; 北大院工; 小島佑太, 江上喜幸
2: 角度分解光電子分光によるPbインターカレートグラフェンにおける電子状態の層数依存性; 早大先進理工; 横井佑典, 辻川夕貴, ^○高山あかり
3: Li-インターカレーションによる単層グラフェン/SiC(0001)の二層化とフラットバンドの占有; 東工大理, 分子研UVSOR^A, 東工大物質^B; 橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 豊田雅之, 日下翔太郎, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, 斎藤晋, 平原徹
4: SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性; 東大物性研, 九大院工^A, 東工大総理工^B, 高エネ研^C; 飯盛拓嗣, 今村均^A, 魚谷亮介^A, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛^B, 北村未歩^C, 堀場弘司^C, 間瀬一彦^C, 梶原隆司^A, Visikovskiy Anton^A, 田中悟^A, 小森文夫
5: (3x3)-Si/Al(111)原子層の電子構造：密度汎関数法による計算との比較; 東大物性研, 原子力機構先端基礎研^A, ソルボンヌ大^B, ISM-CNR^C, KEK-PF^D, 東北大多元研^E, 阪大院工^F, 国立清華大^G, 兵庫県大高度研^H; 佐藤祐輔, 深谷有喜^A, M. Cameau^B, A.K. Kundu^C, 志賀大亮^{D, E}, 湯川龍^F, 堀場弘司^D, C.-H. Chen^G, A. Huang^G, H.-T. Jeng^G, 尾崎泰助, 組頭広志^{D, E}, 新部正人^H, 松田巌
6: 1T-XSe₂(X=Nb, Ta)原子層のモット絶縁相制御：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, Dept. Phys., NSRRC^D, Tsinghua Univ.^E; 中田優樹^A, ^○菅原克明^{A, B, C}, Ashish Chainani^D, Changhua Bao^E, Shaohua Zhou^E, Pei-Yu Chuang^D, Cheng-Maw Cheng^D, Shuyun Zhou^E, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}

休憩　（15:00〜15:15)

^●7: Molecules on β₁₂borophene：Chemical Bonding Analysis and van der Waals Density Functional Assessment; Dept. of Precision Eng., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^A, Dept. of Nanotech., VNU Vietnam Japan Univ., Vietnam Nat’l. Univ., Vietnam^B, Dept. of Chem., Inst. of Environment, Vietnam Maritime Univ., Vietnam^C, Elements Strategy Initiative for Catalysts and Batteries (ESICB), Kyoto Univ.^D, Res. Center for Ultra-Precision Sci. and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^E, Center for Atomic and Molecular Technologies, Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^F; Thi Luong Ta^{A, B, C}, Ikutoro Hamada^{A, D}, Yoshitada Morikawa^{A, D, E}, and Van An Dinh^{B, F}
8: 液体水素からイットリウムナノ接合への水素吸蔵とその電子状態変化; 九大院工; 宮川一慶, 山口大志, 高田弘樹, 稲垣祐次, 河江達也
9: 準安定四面体サイトを介したPd中水素の量子拡散; 東大生研^A, 東工大物質理工学院^B, 原子力機構先端研^C; 小澤孝拓^A, 笹原悠輝^B, 清水亮太^B, 小倉正平^A, 一杉太郎^B, 福谷克之^{A, C}
10: ピリジン/H/Fe₃O₄(100)表面のスピン偏極準安定脱励起分光測定：ハーフメタル的界面状態の観測; 物材機構, 中国科技大^A; 倉橋光紀, 孫霞^A
11: 重水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン分散の異方性：同位体効果; 東北大院理; 芳賀健也, 須藤彰三
12: Fe(001)およびステップ構造におけるFe, Cu, Mn, Siの電界蒸発とロールアップ効果の第一原理計算; 電中研; 大沼敏治